Puslaidininkinių elementų elementų bazė nuolat auga. Kiekvienas naujas išradimas šioje srityje iš tikrųjų pakeičia visą elektroninių sistemų idėją. Keičiasi grandinių projektavimo galimybės, atsiranda naujų jų pagrindu sukurtų įrenginių. Nuo pirmojo tranzistoriaus išradimo (1948 m.) praėjo daug laiko. Buvo išrastos „p-n-p“ir „n-p-n“struktūros, bipoliniai tranzistoriai. Laikui bėgant atsirado ir MIS tranzistorius, veikiantis paviršinio puslaidininkinio sluoksnio elektrinio laidumo keitimo principu veikiant elektriniam laukui. Taigi kitas šio elemento pavadinimas yra laukas.
Pati santrumpa MIS (metal-dilectric-semiconductor) apibūdina šio įrenginio vidinę struktūrą. Iš tiesų, jo vartai yra izoliuoti nuo kanalizacijos ir š altinio plonu nelaidžiu sluoksniu. Šiuolaikinio MIS tranzistoriaus vartų ilgis yra 0,6 µm. Pro jį gali praeiti tik elektromagnetinis laukas – būtent tai turi įtakos puslaidininkio elektrinei būsenai.
Pažiūrėkime, kaip veikia FET, ir išsiaiškinkime, koks jo pagrindinis skirtumas nuobipolinis „brolis“. Kai atsiranda reikiamas potencialas, ant jo vartų atsiranda elektromagnetinis laukas. Tai turi įtakos drenažo ir š altinio sankryžos atsparumui. Štai keletas šio prietaiso naudojimo pranašumų.
- Atviroje būsenoje nutekėjimo š altinio perėjimo varža yra labai maža, o MIS tranzistorius sėkmingai naudojamas kaip elektroninis raktas. Pavyzdžiui, jis gali valdyti operacinį stiprintuvą, manevruodamas apkrovą arba dalyvauti loginėse grandinėse.
- Taip pat verta atkreipti dėmesį į didelę įrenginio įvesties varžą. Šis parametras yra gana svarbus dirbant silpnos srovės grandinėse.
- Maža išleidimo š altinio jungties talpa leidžia naudoti MIS tranzistorių aukšto dažnio įrenginiuose. Proceso metu signalo perdavimas nėra iškraipomas.
- Naujų technologijų kūrimas elementų gamyboje paskatino sukurti IGBT tranzistorius, kurie sujungia teigiamas lauko ir dvipolių elementų savybes. Jų pagrindu pagaminti maitinimo moduliai plačiai naudojami minkštuosiuose paleidikliuose ir dažnio keitikliuose.
Projektuojant ir dirbant su šiais elementais, reikia atsižvelgti į tai, kad MIS tranzistoriai yra labai jautrūs grandinės viršįtampai ir statinei elektrai. Tai reiškia, kad prietaisas gali sugesti palietus valdymo gnybtus. Montuodami arba išmontuodami naudokite specialų įžeminimą.
Šio įrenginio naudojimo perspektyvos yra labai geros. Ačiūsavo unikaliomis savybėmis jis plačiai pritaikytas įvairioje elektroninėje įrangoje. Novatoriška šiuolaikinės elektronikos tendencija yra galios IGBT modulių naudojimas įvairiose grandinėse, įskaitant indukcines grandines.
Jų gamybos technologija nuolat tobulinama. Vykdomi darbai, siekiant padidinti (sumažinti) sklendės ilgį. Tai pagerins ir taip gerą įrenginio veikimą.
