Atmintis (Rugsėjis 2020)

„Hynix“ vengia DRAM importo tarifų ES stojančiose šalyse

„Hynix“ vengia DRAM importo tarifų ES stojančiose šalyse

Dešimties naujų valstybių įstojimas į ES nepadarys įtakos „Hynix Semiconductor“ DRAM verslui, nors jos rytų Europos ...

„ST“ ir „Hynix“ žaidimai užklumpa NAND blykstę

„ST“ ir „Hynix“ žaidimai užklumpa NAND blykstę

Iki metų pabaigos įmonės išsiųs 90 nm įrenginius

„Elpida“ planuoja 4,5 mlrd

„Elpida“ planuoja 4,5 mlrd

Antrasis 300 mm firmos firmos gali būti 60 000 vaflių per mėnesį

„Intel“ pritaikyti NOR duomenų saugojimui

„Intel“ pritaikyti NOR duomenų saugojimui

Pakeis NOR technologiją, kad galėtų konkuruoti su NAND ląstelėmis duomenų saugojimo rinkoje

„Spansion“ akys mirksi talpykloje

„Spansion“ akys mirksi talpykloje

Neabejotinai įmonė išeis po rinkos, kurioje dominuoja NAND blykstė, tačiau data nepaskirta

„SanDisk“ mato blykstę kaip naują „filmą“

„SanDisk“ mato blykstę kaip naują „filmą“

„Flash“ skaitmeninių fotoaparatų atmintis galėtų būti naudojama kaip archyvas, skatinant rinką

MRAM technologija siekia 16Mbit

MRAM technologija siekia 16Mbit

„Infineon“ ir „IBM“ teigia, kad jų 16Mbit MRAM yra technologijos lyderis

„Micron“ praneša, kad trečiojo ketvirčio pajamos išaugo 13%

„Micron“ praneša, kad trečiojo ketvirčio pajamos išaugo 13%

Grynasis pardavimai, palyginti su praėjusiais metais, padidėjo daugiau nei 50 procentų

Taivane atidaromas „super DRab“ DRAM

Taivane atidaromas „super DRab“ DRAM

„Infineon“ ir „Nanya“ atidarė 300 mm, 0,11 µm objektą

„Rambus“ pateikė bylą dėl antimonopolinių ieškinių 1 mlrd

„Rambus“ pateikė bylą dėl antimonopolinių ieškinių 1 mlrd

Atminties gamintojai įvardyti ieškinyje

„Micron“ parduoda NAND „flash“

„Micron“ parduoda NAND „flash“

Debiutuos su 2Gbit įrenginiu, pagamintu 90nm proceso metu

JK universitetas plėtoja 12Tbyte nano atmintį

JK universitetas plėtoja 12Tbyte nano atmintį

Nikelio-titano kristalai

Varžovai mirksėti ant sėkmės ribos

Varžovai mirksėti ant sėkmės ribos

„Chalcogenide“ pagrindu sukurta atmintis, įmontuota į 8Mbyte bandomąjį lustą, kurio aukštis yra 0,18 µm

„Intel“ paleis 90 nm NOR „flash“

„Intel“ paleis 90 nm NOR „flash“

Kitais metais įmonė žada padidinti rašymo greitį 10 kartų

Per antrąjį ketvirtį DRAM pajamos padidėjo 20%

Per antrąjį ketvirtį DRAM pajamos padidėjo 20%

„Hynix“ aplenkia „Micron“ ir užima antrąją vietą už „Samsung“, sako analitikų įmonė

AMD pajamos beveik dvigubai viršija

AMD pajamos beveik dvigubai viršija

Padidėjimą lemia „flash“ atmintis, tačiau padidėja ir mikroprocesoriai

„Flash“ rinka tampa konkurencinga

„Flash“ rinka tampa konkurencinga

„ISuppli“ teigimu, lenktynės dėl lyderystės flash atminties rinkoje antrą ketvirtį tapo griežtesnės

„Infineon“ prisipažįsta nustatanti kainas

„Infineon“ prisipažįsta nustatanti kainas

Firma prisipažįsta kalta ir sumoka 160 mln. USD baudą už dalyvavimą DRAM kainų sąmoksle

„Memory IP“ įmonė samdo generalinį direktorių

„Memory IP“ įmonė samdo generalinį direktorių

Šveicarijos atminties technologijų įmonė samdo intelektinės nuosavybės veteraną

„Renesas“ nori 4 Gbit spartos

„Renesas“ nori 4 Gbit spartos

„Renesas Technology“ siekia užimti lyderį didelės talpos atminties „flash“ atminties rinkoje